实验室的新工作已在 arXiv 上线，目前为预印本（arXiv:2609.32943，2026 年 9 月 26 日提交）。
The wiring sets a phase-blind quantum memory’s gap, the weight caps its coherence
文章关心一个尚未定论的问题：耗散纠错量子存储器的能隙究竟度量了什么。结果显示，当每一次跳跃复位一个基态时，耗散通道的接法（wiring）可以设定能隙时间，而相位的衰减速率不受它影响——退相位下，不同接法的能隙时间相差可达两个数量级，相位则不动。
作者为钱睿妮（第一作者，实验室本科生）、Zhaobin Lyu、Zelong Yin、Jingjing Hu、李登峰（实验室教师）、安硕明（实验室教师）。